参考美国国Fang部DOD 5220.22-M标准
定义的两种清除数据需求:
< 清除（Clearing）:在重新使用媒体之前，彻底删除媒体中数据的程序，且在清除媒体中数据之前，作业环境可提供可接受的保护等级。举例来说，所有内部存储器、缓冲区或其他可重复使用的内存，都必须执行清除，以有效杜绝读取先前储存的数据。
< 销毁（Sanitization）:在重新使用媒体之前，彻底删除媒体中数据的程序，且在销毁媒体中数据之前，作业环境无法提供可接受的保护等级。例如，当信息系统资源从保密信息管制下释出、或释出到较低的保密层级使用前，都必须执行数据销毁。
执行数据清除或销毁的方法
旧版DOD 5220.22-M和后来的DSS C&SM，均针对磁带、磁盘、光盘、内存等四种类型的储存媒体，以及同样会暂存数据的打印机，提出了17种删除数据的方式。而这些方式中，有15种适用于储存媒体，又可分为消磁、覆写、紫外线删除与物理摧毁等基本方式。
适用的储存媒体类型
四种储存媒体包括:
< 磁带:分为Type I、II、III等3类，Type I指磁化记录时的磁场强度为350厄斯特（oersted，磁场强度单位，缩写为Oe）以下，Type II介于351与750Oe之间，Type III则大于750Oe。
由于DOD 5220.22-M这张参考表制定的时间相当早（距今已超过10年），因此前述磁带磁化磁场强度标准已与当前的产品有相当落差，如目前最普遍使用的LTO-3、4磁带，磁场强度便分别高达2600与2710Oe。
< 磁盘:包括Bernoulli式磁盘、软盘、不可移动的硬盘与可移动的硬盘等4种类型。
< 光盘:包括可多次读写、只读与一次写入多次读取（WORM）等3种。
< 内存:包括动态随机存取内存（DRAM）、静态随机存取内存（SRAM）、只读存储器（ROM）、可程序化只读存储器（PROM）、可程序化可抹除只读存储器（EPROM）、快闪EPROM（Flash EPROM）、电子可变只读存储器（EAPROM）、电子可抹除只读存储器（EEPROM）、非挥发性RAM（NOVRAM），还有古老的磁芯、磁泡、磁阻与镀磁线等13种内存。
而针对前述四类储存媒体，分别有以下几种彻底删除数据的方法:
< 消磁:可适用于磁带与磁盘，分为Type I与Type II两种层次的消磁，对应于Type I、II两种类型的磁带。
使用消磁要特别注意二件事，首先某些磁带与抽取式硬盘（如LTO磁带与Zip盘片）内含有出厂时预录的讯息，若强制执行消磁而使这些讯息消失，这些媒体将无法再被重复使用。其次是美国国Fang部的Type I/II消磁标准已太过老旧，要对当前的磁带实施消磁，最少也得使用消磁能力2500～3000Oe的消磁机；若要消磁硬盘，则需要的消磁能力将达到4000～5000 Oe以上。
< 覆写:包括几种不同方法，如把所有储存寻址位置都填入单一字符；所有寻址位置都填入单一字符后，再随机填入字符；以随机方式覆写所有寻址位置，所有位置都填入二进制0值、所有位置都填入二进制1值；或事先透过制造商提供的工具删除芯片中数据，然后把所有寻址位置都填入单一字符，然后重复三次等等。
< 紫外线照射删除与移除电源
紫外线照射删除适用于EPROM，移除包括电池在内的所有电源则适用于DRAM、NOVRAM与SRAM。
< 物理摧毁:包括使储存媒体破裂、焚化、彻底粉碎、切成条状与融化等方式。除了手动摧毁外，目前已有厂商推出可将硬盘盘片穿刺、打洞的自动化设备。
符合规范要求的数据销毁产品
美国国Fang部的数据清除与销毁方法参考矩阵提出了一些彻底销毁数据的方式，不过要特别注意的是，从2007年11月起，覆写已不再被美国国Fang部列为可接受的资料「销毁」手段（但仍可用于「清除」），因此要销毁磁性储存媒体中的数据，合乎规范的可用方法只剩消磁与物理摧毁。